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島根大学総合理工学部紀要. シリーズA 33 巻
1999-12-24 発行
GaAs基板上の長波長帯光通信用レーザの開発に向けたGaAs基板上のT1GaAsのMBE成長の試み
MBE growth of T1GaAs on GaAs substrates for fabricating long-wavelength laser diodes on GaAs substrates
朝比奈 秀一
本文ファイル
c0040033r008.pdf
( 1.74 MB )
内容記述
We report the growth of TlGaAs on（001）GaAs substrates by molecular beam epitaxy. X-ray diffraction measurements showed resolved peaks of Tl_x，Gal_<1-x>As epitaxial layers and GaAs substrates for the samples grown at substrate tempratures of 400-450℃. The peak separation of 30 are sec observed in the X-ray rocking curves indicates the existence of Tl_xGa_<1-x>As epitaxial layers having Tl contents around x＝0.0016.
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