| ファイル情報(添付) | |
| タイトル |
GaAs基板上の長波長帯光通信用レーザの開発に向けたGaAs基板上のT1GaAsのMBE成長の試み
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| タイトル |
MBE growth of T1GaAs on GaAs substrates for fabricating long-wavelength laser diodes on GaAs substrates
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| タイトル 読み |
GAAS キバンジョウ ノ チョウハチョウタイ ヒカリ ツウシンヨウ レーザ ノ カイハツ ニ ムケタ GAAS キバンジョウ ノ T1GAAS ノ MBE セイチョウ ノ ココロミ
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| 著者 |
朝比奈 秀一
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| 収録物名 |
島根大学総合理工学部紀要. シリーズA
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| 巻 | 33 |
| 開始ページ | 101 |
| 終了ページ | 108 |
| 収録物識別子 |
ISSN 13427113
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| 内容記述 |
抄録・要旨
We report the growth of TlGaAs on（001）GaAs substrates by molecular beam epitaxy. X-ray diffraction measurements showed resolved peaks of Tl_x，Gal_<1-x>As epitaxial layers and GaAs substrates for the samples grown at substrate tempratures of 400-450℃. The peak separation of 30 are sec observed in the X-ray rocking curves indicates the existence of Tl_xGa_<1-x>As epitaxial layers having Tl contents around x＝0.0016.
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| 言語 |
日本語
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| 資源タイプ | 紀要論文 |
| 出版者 |
島根大学総合理工学部
Interdisciplinary Faculty of Science and Engineering, Shimane University
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| 発行日 | 1999-12-24 |
| 出版タイプ | Version of Record（出版社版。早期公開を含む） |
| アクセス権 | オープンアクセス |
| 関連情報 |
[NCID] AA11157087
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| 備考 | 30-41+ / 1997-2007 |
