| ファイル情報(添付) | |
| タイトル |
GaAs-on-Si電子デバイスの現状と展望
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| タイトル |
The Present Status and Prospects in GaAs-on-Si Electromc Devices
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| タイトル 読み |
GAAS ON SI デンシ デバイス ノ ゲンジョウ ト テンボウ
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| 著者 | |
| 収録物名 |
島根大学総合理工学部紀要. シリーズA
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| 巻 | 31 |
| 開始ページ | 119 |
| 終了ページ | 137 |
| 収録物識別子 |
ISSN 13427113
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| 内容記述 |
その他
Power metal semiconductor field effect transistors (MESFET'S) have been fabricated to show that they have come to the stage of practical use. This paper reviews what have inhibited the practical use of GaAs-on-Si electronic devices and how they have been overcome by focusing the application of GaAs-on-Si to the power MESFET's and high electron mobility transistors (HEMT's). It is demonstrated that the practical application of the GaAs-on-Si power MESFET's to the base-station devices for mobile phones is one of the most attractive in the very near future.
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| 言語 |
英語
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| 資源タイプ | 紀要論文 |
| 出版者 |
島根大学総合理工学部
Interdisciplinary Faculty of Science and Engineering, Shimane University
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| 発行日 | 1997-12-26 |
| アクセス権 | オープンアクセス |
| 関連情報 |
[NCID] AA11157087
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| 備考 | 30-41+ / 1997-2007 |
