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TECHNOLOGY EVOLUTION FOR SILICON NANO-ELECTRONICS
470
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TECHNOLOGY EVOLUTION FOR SILICON NANO-ELECTRONICS 470
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Capture/Emission Processes of Carriers in Heterointerface Traps Observed in the Transient Charge-Pumping Characteristics of SiGe/Si-Hetero-Channel pMOSFETs
著者
Tsuchiya Toshiaki
/
Yoshida Keiichi
/
Sakuraba Masao
/
Murota Junichi
/
掲載誌名
TECHNOLOGY EVOLUTION FOR SILICON NANO-ELECTRONICS
巻
470
発行日
2011
資料タイプ
学術雑誌論文