Capture/Emission Processes of Carriers in Heterointerface Traps Observed in the Transient Charge-Pumping Characteristics of SiGe/Si-Hetero-Channel pMOSFETs

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言語	英語
著者	Tsuchiya Toshiaki Interdisciplinary Faculty of Science and Engineering, Shimane University, 1060 Nishikawatsu, Matsue 690-8504, Japan Yoshida Keiichi Interdisciplinary Faculty of Science and Engineering, Shimane University, 1060 Nishikawatsu, Matsue 690-8504, Japan Sakuraba Masao Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan Murota Junichi Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan
主題	heterointerface trap; carrier capture process; charge pumping; MOSFET
掲載誌名	TECHNOLOGY EVOLUTION FOR SILICON NANO-ELECTRONICS
巻	470
開始ページ	201
終了ページ	+
ISSN	1013-9826
発行日	2011
DOI	10.4028/www.scientific.net/KEM.470.201
出版者	TRANS TECH PUBLICATIONS LTD
資料タイプ	学術雑誌論文
部局	総合理工学部