Atomic Scale Insights into Si Transport Pathway in Si-oxide Film Based on Theoretical Investigation of Medium Density Effects

e-Journal of Surface Science and Nanotechnology 23 巻 3 号 306-313 頁 2025-07-17 発行
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ファイル情報(添付)
タイトル ( jpn )
Atomic Scale Insights into Si Transport Pathway in Si-oxide Film Based on Theoretical Investigation of Medium Density Effects
著者
Akiyama Toru Graduate School of Engineering, Mie University
Shiraishi Kenji Institute of Materials and Systems for Sustainability, Nagoya University / Graduate School of Engineering, Nagoya University
収録物名
e-Journal of Surface Science and Nanotechnology
23
3
開始ページ 306
終了ページ 313
収録物識別子
PISSN 1348-0391
言語
英語
資源タイプ 学術雑誌論文
出版者
The Japan Society of Vacuum and Surface Science
発行日 2025-07-17
権利関係(リンク) Atomic Scale Insights into Si Transport Pathway in Si-oxide Film Based on Theoretical Investigation of Medium Density Effects © 2025 by Kageshima Hiroyuki / Akiyama Toru / Shiraishi Kenji is licensed under CC BY 4.0
出版タイプ Version of Record(出版社版。早期公開を含む)
アクセス権 オープンアクセス
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