タイトル |
Nondegenerate Polycrystalline Hydrogen-Doped Indium Oxide (InOx:H) Thin Films Formed by Low-Temperature Solid-Phase Crystallization for Thin Film Transistors
|
著者 |
Kataoka Taiki
Makino Hisao
|
収録物名 |
Materials
|
巻 | 15 |
号 | 1 |
収録物識別子 |
EISSN 1996-1944
|
言語 |
英語
|
資源タイプ | 学術雑誌論文 |
出版者 |
MDPI
|
発行日 | 2021-12-7 |
権利関係(リンク) | ![]() This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License. |
アクセス権 | メタデータのみ |
関連情報 |
[DOI] 10.3390/ma15010187
[PMID] 35009333
|