| タイトル |
Defect Passivation and Carrier Reduction Mechanisms in Hydrogen-Doped In-Ga-Zn-O (IGZO:H) Films upon Low-Temperature Annealing for Flexible Device Applications
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| 著者 |
Rostislav Velichko
Furuta Mamoru
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| 収録物名 |
Materials
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| 巻 | 15 |
| 号 | 1 |
| 収録物識別子 |
EISSN 1996-1944
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| 言語 |
英語
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| 資源タイプ | 学術雑誌論文 |
| 出版者 |
MDPI
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| 発行日 | 2022-1-3 |
| 権利関係（リンク） |  This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License. |
| アクセス権 | メタデータのみ |
| 関連情報 |
[DOI]
10.3390/ma15010334
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