Restudy of low-temperature data of Hall-effect measurements on compensated n-InSb and n-InAs on the basis of an impurity-Hubbard-band model

Materials Science and Engineering: B 263 巻 2020-10-01 発行

アクセス数 : 980 件

ダウンロード数 : 0 件

今月のアクセス数 : 13 件

今月のダウンロード数 : 0 件

この文献の参照には次のURLをご利用ください : https://ir.lib.shimane-u.ac.jp/54140

タイトル	Restudy of low-temperature data of Hall-effect measurements on compensated n-InSb and n-InAs on the basis of an impurity-Hubbard-band model
著者	梶川靖友
収録物名	Materials Science and Engineering: B
巻	263
言語	英語
資源タイプ	学術雑誌論文
出版者	Elsevier B.V.
発行日	2020-10-01
アクセス権	メタデータのみ
関連情報	[DOI] 10.1016/j.mseb.2020.114809