| ファイル情報(添付) | |
| タイトル |
水素イオンを注入したゲルマニウムのDLTS測定
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| タイトル |
DLTS Measurements on Hydrogen Implanted Germanium
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| タイトル 読み |
スイソ イオン オ チュウニュウシタ ゲルマニウム ノ DLTS ソクテイ
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| 著者 |
伊藤 一義
伊藤 隆
Corbett James W.
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| 収録物名 |
島根大学理学部紀要
Memoirs of the Faculty of Science, Shimane University
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| 巻 | 17 |
| 開始ページ | 23 |
| 終了ページ | 30 |
| 収録物識別子 |
ISSN 03879925
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| 内容記述 |
その他
Deep levels introduced by 50 KeV hydrogen ions or 1.5 MeV electrons in undoped germanium have been studied using deep level transient spectroscopy. Five hole traps have been observed after implantation. The energy levels associated with these traps, their cross sections and their annealing behaviours have been determined. The two trap levels at E_v + 0.38 eV and at E_v +0.42 eV annealed at the same temperature, and they are attributable to the defect levels associated with divacancy-hydrogen complex.
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| 言語 |
英語
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| 資源タイプ | 紀要論文 |
| 出版者 |
島根大学理学部
The Faculty of Science, Shimane University
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| 発行日 | 1983-12-25 |
| アクセス権 | オープンアクセス |
| 関連情報 |
[NCID] AN00108106
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