| ファイル情報(添付) | |
| ファイル情報(添付) | |
| タイトル |
次世代パワー半導体デバイス GaN HEMT の応用に向けた基礎研究
|
| タイトル |
A Fundamental Study on the Next Generation Power Semiconductor Device "GaN HEMT" for Applications
|
| タイトル 読み |
ジセダイ パワー ハンドウタイ デバイス GaN HEMT ノ オウヨウ ニ ムケタ キソ ケンキュウ
|
| 著者 |
梅上 大勝
|
| 言語 |
日本語
|
| 資源タイプ | 博士論文 |
| 発行日 | 2016-03-25 |
| 出版タイプ | Version of Record（出版社版。早期公開を含む） |
| アクセス権 | オープンアクセス |
| 学位授与番号 | 甲第574号 |
| 学位名 | |
| 学位授与年月日 | 2016-03-25 |
| 学位授与機関 |
島根大学
|
| 学位論文研究科コード | D-FSE |
| 学位授与年度 | 2015 |
| 備考 | 総博甲第109号 |
