次世代パワー半導体デバイス GaN HEMT の応用に向けた基礎研究

published_at 2016-03-25

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File	k574_fulltext.pdf 2.55 MB エンバーゴ : 2016-06-22
File	要旨-k574.pdf 215 KB エンバーゴ : 2016-06-22
Title	次世代パワー半導体デバイス GaN HEMT の応用に向けた基礎研究
Title	A Fundamental Study on the Next Generation Power Semiconductor Device "GaN HEMT" for Applications
Title Transcription	ジセダイパワーハンドウタイデバイス GaN HEMT ノオウヨウニムケタキソケンキュウ
Creator	梅上大勝
Language	jpn
Resource Type	doctoral thesis
Date of Issued	2016-03-25
Publish Type	Version of Record
Access Rights	open access
Dissertation Number	甲第574号
Degree Name	博士（工学）
Date of Granted	2016-03-25
Degree Grantors	島根大学
学位論文研究科コード	Interdisciplinary Faculty of Science and Engineering
学位授与年度	2015
Remark	総博甲第109号