| ファイル情報(添付) | |
| タイトル |
シリコンテクノロジーの新しい可能性 : 多孔質シリコンの特性とその応用
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| タイトル |
New Prospects of the Silicon Technology : Properties of Porous Silicon and their Application to New Electron Devices
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| タイトル 読み |
シリコン テクノロジー ノ アタラシイ カノウセイ タコウシツ シリコン ノ トクセイ トソノ オウヨウ
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| 著者 |
原田 曠嗣
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| 収録物名 |
島根大学総合理工学部紀要. シリーズA
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| 巻 | 32 |
| 開始ページ | 97 |
| 終了ページ | 110 |
| 収録物識別子 |
ISSN 13427113
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| 内容記述 |
その他
Porous silicon has versatile applications for electron devices，because of its properties of quantum confinement of carriers and/or the porous nature of the structure. This paper reviews the formation mechanism of porous silicon, the mechanism of photoluminescence still under debate and possible new electron devices. Illustrative devices of both the light emittmg diode and the micro field emitter which are carried out by author are also shown.
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| 言語 |
日本語
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| 資源タイプ | 紀要論文 |
| 出版者 |
島根大学総合理工学部
Interdisciplinary Faculty of Science and Engineering, Shimane University
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| 発行日 | 1998-12-24 |
| アクセス権 | オープンアクセス |
| 関連情報 |
[NCID] AA11157087
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| 備考 | 30-41+ / 1997-2007 |
