| ファイル情報(添付) | |
| タイトル |
Correlation between the Sign of Hall Coefficient and Lattice Instabiliy in Substituted TiSe_2
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| 著者 |
田口 功
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| 収録物名 |
島根医科大学紀要
Bulletin of Shimane Medical University
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| 巻 | 2 |
| 開始ページ | 43 |
| 終了ページ | 50 |
| 収録物識別子 |
ISSN 03879097
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| 内容記述 |
その他
The temperature dependence of the electrical resistivity and the Hall coefficient at 290 K for single crystals of Ti_<1-x>f_xSe_2 are presented. The resistive anomaly due to lattice instability appears in the range of 0 ≤ x ≤ 0.35 where the Hall coefficient is found to be positive. The sign of the Hall coefficient is changed to minus for x ≥ 0.4. The results show that holes as carriers play a fundamental role in the lattice instability in TiSe_2.
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| 主題 | |
| 言語 |
英語
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| 資源タイプ | 紀要論文 |
| 出版者 |
島根医科大学
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| 発行日 | 1979-12-01 |
| 出版タイプ | Version of Record（出版社版。早期公開を含む） |
| アクセス権 | オープンアクセス |
| 関連情報 |
[NCID] AN00107602
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