| ファイル情報(添付) | |
| タイトル |
Quantitative Evaluation of Interface Traps in a Nanometer-Thick SiGe/Si Heterostructure in Hetero MOS Devices
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| 著者 | |
| 収録物名 |
電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス
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| 開始ページ | 21 |
| 終了ページ | 24 |
| 収録物識別子 |
ISSN 09135685
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| 内容記述 |
その他
■発表会名:2006 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices■主催者名:電子情報通信学会■開催場所:仙台■発表年月:2006年7月3日～2006年7月5日========================================
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| 主題 |
MOSFETs
SiGe
heterostructure
hetero-interface trap
charge pumping technique
hot carrier
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| 言語 |
英語
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| 資源タイプ | 会議発表論文 |
| 出版者 |
電子情報通信学会
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| 発行日 | 2006 |
| 権利情報 |
copyrightc2006 IEICE
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| 出版タイプ | Accepted Manuscript（出版雑誌の一論文として受付されたもの。内容とレイアウトは出版社の投稿様式に沿ったもの） |
| アクセス権 | アクセス制限あり |
| 関連情報 |
[NCID] AN10012954
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