SiGe/SiヘテロMOSFETにおけるホットキャリアによるヘテロ界面準位の発生

電気学会論文誌. C, 電子・情報・システム部門誌 126 巻 9 号 1101-1106 頁 2006 発行
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タイトル
SiGe/SiヘテロMOSFETにおけるホットキャリアによるヘテロ界面準位の発生
タイトル
Hetero-Interface-Trap Generation due to Hot Carriers in SiGe/Si-Hetero-MOSFETs
著者
収録物名
電気学会論文誌. C, 電子・情報・システム部門誌
IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems
126
9
開始ページ 1101
終了ページ 1106
収録物識別子
ISSN 03854221
主題
MOSFET
SiGe
ホットキャリア
ヘテロ界面準位
チャージポンピング法
言語
日本語
資源タイプ 学術雑誌論文
出版者
電気学会
発行日 2006
アクセス権 メタデータのみ
関連情報
[DOI] 10.1541/ieejeiss.126.1101
[NCID] AN10065950