SiGe/SiヘテロMOSFETにおけるホットキャリアによるヘテロ界面準位の発生

電気学会論文誌. C, 電子・情報・システム部門誌 Volume 126 Issue 9 Page 1101-1106 published_at 2006
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Title
SiGe/SiヘテロMOSFETにおけるホットキャリアによるヘテロ界面準位の発生
Title
Hetero-Interface-Trap Generation due to Hot Carriers in SiGe/Si-Hetero-MOSFETs
Creator
Source Title
電気学会論文誌. C, 電子・情報・システム部門誌
IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems
Volume 126
Issue 9
Start Page 1101
End Page 1106
Journal Identifire
ISSN 03854221
Subjects
MOSFET
SiGe
ホットキャリア
ヘテロ界面準位
チャージポンピング法
Language
jpn
Resource Type journal article
Publisher
電気学会
Date of Issued 2006
Access Rights metadata only access
Relation
[DOI] 10.1541/ieejeiss.126.1101
[NCID] AN10065950