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言語 |
英語
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著者 |
田口 功
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内容記述(抄録等) | The temperature dependence of the electrical resistivity and the Hall coefficient at 290 K for single crystals of Ti_<1-x>f_xSe_2 are presented. The resistive anomaly due to lattice instability appears in the range of 0 ≤ x ≤ 0.35 where the Hall coefficient is found to be positive. The sign of the Hall coefficient is changed to minus for x ≥ 0.4. The results show that holes as carriers play a fundamental role in the lattice instability in TiSe_2.
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主題 | layer compound
Hall effect
phase transition
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掲載誌名 |
島根医科大学紀要
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巻 | 2
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開始ページ | 43
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終了ページ | 50
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ISSN | 03879097
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発行日 | 1979-12-01
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NCID | AN00107602
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出版者 | 島根医科大学
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資料タイプ |
紀要論文
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ファイル形式 |
PDF
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著者版/出版社版 |
出版社版
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部局 |
医学部
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他の一覧 |