ファイル情報(添付) | |
タイトル |
ゲルマニウム中の酸素の関係する点欠陥に対する水素パシベーション
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タイトル |
Hydrogen Passivation of Oxygen-Related Defects in Germanium
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タイトル 読み |
ゲルマニウム チュウ ノ サンソ ノ カンケイ スル テン ケッカン ニタイスル スイソ バシベーション
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著者 |
伊藤 一義
伴 千治
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収録物名 |
島根大学理学部紀要
Memoirs of the Faculty of Science, Shimane University
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巻 | 23 |
開始ページ | 73 |
終了ページ | 77 |
収録物識別子 |
ISSN 03879925
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内容記述 |
その他
Thermal donors in undoped germanium were produced by heat treatment at 350℃ for 200h, and the level position for the thermal donors was tentatively estimated to be 0.36 eV from the conduction band. When the sample was subsequently implanted with 25 keV hydrogen,concentration of the level associated with the thermal donors was drastically reduced and the position of DLTS peak corresponding to the level shifted to lower temperature. The restoration of the neutralized thermal donor electrical activity began after a 15 min annealing at 200℃ and essentially completed after annealing at 280℃.
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言語 |
英語
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資源タイプ | 紀要論文 |
出版者 |
島根大学理学部
The Faculty of Science, Shimane University
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発行日 | 1989-12-25 |
アクセス権 | オープンアクセス |
関連情報 |
[NCID] AN00108106
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