Quantum Confinement Effect in Amorphous In–Ga–Zn–O Heterojunction Channels for Thin-Film Transistors

Materials 13 巻 8 号 2020-04-20 発行

アクセス数 : 1048 件

ダウンロード数 : 0 件

今月のアクセス数 : 1 件

今月のダウンロード数 : 0 件

この文献の参照には次のURLをご利用ください : https://ir.lib.shimane-u.ac.jp/54143

タイトル	Quantum Confinement Effect in Amorphous In–Ga–Zn–O Heterojunction Channels for Thin-Film Transistors
著者	Koretomo Daichi Hamada Shuhei 曲勇作 Furuta Mamoru
収録物名	Materials
巻	13
号	8
収録物識別子	EISSN 1996-1944
言語	英語
資源タイプ	学術雑誌論文
出版者	MDPI
発行日	2020-04-20
アクセス権	メタデータのみ
関連情報	[DOI] 10.3390/ma13081935