In-situエリプソメトリの応用と展開

In situ ellipsometry has played important roles in analyses of solid surface reaction processes since ellipsometry gives high-resolution and -accuracy information about optical constants of solid surface and/or thickness and refractive indices of deposited films. High-speed ellipsometric instruments are necessary for the in situ measurement. In this paper，instrumentation of some high speed ellipsometers and examples of the applications are reviewed in addition to development of in situ ellipsometric application to the plasma carburization project recently a㏄epted by New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO)．

偏光解析（エリプソメトリ）は固体表面からの反射光の入射面に対する平行成分と垂直成分の比（振幅比と位相差）を測定し，固体の光学定数または表面に付着した薄膜の膜厚をもとめる光学的測定手法である． たとえば，膜厚の分解能として数Ａ＾＾゜の高精度が得られる．In　situ（その場）測定には高速自動偏光解析装置が必要であるが，その構成として，（l）回転検光子型：光源（L）-偏光子（P）-試料（S）-回転検光子（RA）-光検出器（D）と（2）位相変調型： L-P-S−位相変調器（PM）-検光子（A）-Dの２種類に大別される ここでは，両者の測定系を用いて著者達が行ってきた研究例を中心に紹介するとともに，今回，１９９７通産省地域コソソーシアム研究開発事業に採択されたプロシェクト「In situ 制御によるプラズマ利用表皮処理プロセスの開発」（統括研究代表者，総合理工学部 片山教授）におけるIn　situ エリプソメトリに関する研究計画について述べる．