Nondegenerate Polycrystalline Hydrogen-Doped Indium Oxide (InOx:H) Thin Films Formed by Low-Temperature Solid-Phase Crystallization for Thin Film Transistors

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言語	英語
属性	Article
著者	Kataoka Taiki Materials Science and Engineering Course, Kochi University of Technology, Kami 782-8502, Kochi, Japan 曲勇作 Makino, Hisao Center for Nanotechnology, Research Institute, Kochi University of Technology, Kami 782-8502, Kochi, Japan　/　 Electronic and Photonic Systems Engineering Course, Kochi University of Technology, Kami 782-8502, Kochi, Japan
掲載誌名	Materials
巻	15
号	1
ISSN（Online）	1996-1944
発行日	2021-12-7
DOI	10.3390/ma15010187
PubMed ID	35009333
出版者	MDPI
資料タイプ	学術雑誌論文
権利関係（リンク）	This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
部局	総合理工学部