| タイトルヨミ | GAAS キバンジョウ ノ チョウハチョウタイ ヒカリ ツウシンヨウ レーザ ノ カイハツ ニ ムケタ GAAS キバンジョウ ノ T1GAAS ノ MBE セイチョウ ノ ココロミ
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| 日本語以外のタイトル | MBE growth of T1GaAs on GaAs substrates for fabricating long-wavelength laser diodes on GaAs substrates
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| ファイル | |
| 言語 |
日本語
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| 著者 |
朝比奈 秀一
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| 内容記述（抄録等） | We report the growth of TlGaAs on（001）GaAs substrates by molecular beam epitaxy. X-ray diffraction measurements showed resolved peaks of Tl_x，Gal_<1-x>As epitaxial layers and GaAs substrates for the samples grown at substrate tempratures of 400-450℃. The peak separation of 30 are sec observed in the X-ray rocking curves indicates the existence of Tl_xGa_<1-x>As epitaxial layers having Tl contents around x＝0.0016.
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| 掲載誌名 |
島根大学総合理工学部紀要. シリーズA
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| 巻 | 33
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| 開始ページ | 101
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| 終了ページ | 108
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| ISSN | 13427113
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| 発行日 | 1999-12-24
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| NCID | AA11157087
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| 出版者 | 島根大学総合理工学部
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| 出版者別表記 | Interdisciplinary Faculty of Science and Engineering, Shimane University
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| 資料タイプ |
紀要論文
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| ファイル形式 |
PDF
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| 著者版/出版社版 |
出版社版
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| 業績ID | e19783
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| 部局 |
（旧組織）大学院総合理工学研究科
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| 備考 | 30-41+ / 1997-2007
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| 他の一覧 |
