| タイトルヨミ | シリコン テクノロジー ノ アタラシイ カノウセイ タコウシツ シリコン ノ トクセイ トソノ オウヨウ
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| 日本語以外のタイトル | New Prospects of the Silicon Technology : Properties of Porous Silicon and their Application to New Electron Devices
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| ファイル | |
| 言語 |
日本語
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| 著者 |
原田 曠嗣
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| 内容記述（抄録等） | Porous silicon has versatile applications for electron devices，because of its properties of quantum confinement of carriers and/or the porous nature of the structure. This paper reviews the formation mechanism of porous silicon, the mechanism of photoluminescence still under debate and possible new electron devices. Illustrative devices of both the light emittmg diode and the micro field emitter which are carried out by author are also shown.
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| 掲載誌名 |
島根大学総合理工学部紀要. シリーズA
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| 巻 | 32
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| 開始ページ | 97
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| 終了ページ | 110
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| ISSN | 13427113
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| 発行日 | 1998-12-24
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| NCID | AA11157087
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| 出版者 | 島根大学総合理工学部
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| 出版者別表記 | Interdisciplinary Faculty of Science and Engineering, Shimane University
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| 資料タイプ |
紀要論文
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| 部局 |
（旧組織）大学院総合理工学研究科
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| 備考 | 30-41+ / 1997-2007
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| 他の一覧 |
