ダウンロード数 : ?
タイトルヨミ
GAAS キバンジョウ ノ チョウハチョウタイ ヒカリ ツウシンヨウ レーザ ノ カイハツ ニ ムケタ GAAS キバンジョウ ノ T1GAAS ノ MBE セイチョウ ノ ココロミ
日本語以外のタイトル
MBE growth of T1GaAs on GaAs substrates for fabricating long-wavelength laser diodes on GaAs substrates
ファイル
言語
日本語
著者
朝比奈 秀一
内容記述(抄録等)
We report the growth of TlGaAs on(001)GaAs substrates by molecular beam epitaxy. X-ray diffraction measurements showed resolved peaks of Tl_x,Gal_<1-x>As epitaxial layers and GaAs substrates for the samples grown at substrate tempratures of 400-450℃. The peak separation of 30 are sec observed in the X-ray rocking curves indicates the existence of Tl_xGa_<1-x>As epitaxial layers having Tl contents around x=0.0016.
掲載誌名
島根大学総合理工学部紀要. シリーズA
33
開始ページ
101
終了ページ
108
ISSN
13427113
発行日
1999-12-24
NCID
AA11157087
出版者
島根大学総合理工学部
出版者別表記
Interdisciplinary Faculty of Science and Engineering, Shimane University
資料タイプ
紀要論文
ファイル形式
PDF
著者版/出版社版
出版社版
業績ID
e19783
部局
(旧組織)大学院総合理工学研究科
備考
30-41+ / 1997-2007
他の一覧
このエントリーをはてなブックマークに追加