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言語
英語
著者
田口 功
内容記述(抄録等)
The temperature dependence of the electrical resistivity and the Hall coefficient at 290 K for single crystals of Ti_<1-x>f_xSe_2 are presented. The resistive anomaly due to lattice instability appears in the range of 0 ≤ x ≤ 0.35 where the Hall coefficient is found to be positive. The sign of the Hall coefficient is changed to minus for x ≥ 0.4. The results show that holes as carriers play a fundamental role in the lattice instability in TiSe_2.
主題
layer compound
Hall effect
phase transition
掲載誌名
島根医科大学紀要
2
開始ページ
43
終了ページ
50
ISSN
03879097
発行日
1979-12-01
NCID
AN00107602
出版者
島根医科大学
資料タイプ
紀要論文
ファイル形式
PDF
著者版/出版社版
出版社版
部局
医学部
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