Restudy of low-temperature data of Hall-effect measurements on compensated n-InSb and n-InAs on the basis of an impurity-Hubbard-band model

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言語	英語
著者	梶川靖友
掲載誌名	Materials Science and Engineering: B
巻	263
発行日	2020-10-01
DOI	10.1016/j.mseb.2020.114809
出版者	Elsevier B.V.
資料タイプ	学術雑誌論文
業績ID	e39069
部局	総合理工学部