Defect Passivation and Carrier Reduction Mechanisms in Hydrogen-Doped In-Ga-Zn-O (IGZO:H) Films upon Low-Temperature Annealing for Flexible Device Applications

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言語	英語
属性	Article
著者	Rostislav Velichko Engineering Course, Kochi University of Technology, Kami, Kochi 782-8502, Japan 曲勇作 Furuta , Mamoru Engineering Course, Kochi University of Technology, Kami, Kochi 782-8502, Japan　/　 School of Environmental Science and Engineering, Kochi University of Technology, Kami, Kochi 782-8502, Japan　/　 Center for Nanotechnology, Research Institute, Kochi University of Technology, Kami, Kochi 782-8502, Japan
掲載誌名	Materials
巻	15
号	1
ISSN（Online）	1996-1944
発行日	2022-1-3
DOI	10.3390/ma15010334
出版者	MDPI
資料タイプ	学術雑誌論文
権利関係（リンク）	This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
部局	総合理工学部