Quantum Confinement Effect in Amorphous In–Ga–Zn–O Heterojunction Channels for Thin-Film Transistors

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言語	英語
著者	Koretomo Daichi Engineering Course, Kochi University of Technology, Kami, Kochi 782-8502, Japan Hamada , Shuhei Material Science and Engineering Course, Kochi University of Technology, Kami, Kochi 782-8502, Japan 曲勇作 Furuta , Mamoru Engineering Course, Kochi University of Technology, Kami, Kochi 782-8502, Japan / Material Science and Engineering Course, Kochi University of Technology, Kami, Kochi 782-8502, Japan / Center for Nanotechnology, Research Institute, Kochi University of Technology, Kami, Kochi 782-8502, Japan
掲載誌名	Materials
巻	13
号	8
ISSN（Online）	1996-1944
発行日	2020-04-20
DOI	10.3390/ma13081935
出版者	MDPI
資料タイプ	学術雑誌論文
部局	総合理工学部