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タイトルヨミ
ゲルマニウム チュウ ノ サンソ ノ カンケイ スル テン ケッカン ニタイスル スイソ バシベーション
タイトル別表記
Hydrogen Passivation of Oxygen-Related Defects in Germanium
ファイル
言語
英語
著者
伊藤 一義
伴 千治
小野 興太郎
内容記述(抄録等)
Thermal donors in undoped germanium were produced by heat treatment at 350℃ for 200h, and the level position for the thermal donors was tentatively estimated to be 0.36 eV from the conduction band. When the sample was subsequently implanted with 25 keV hydrogen,concentration of the level associated with the thermal donors was drastically reduced and the position of DLTS peak corresponding to the level shifted to lower temperature. The restoration of the neutralized thermal donor electrical activity began after a 15 min annealing at 200℃ and essentially completed after annealing at 280℃.
掲載誌名
島根大学理学部紀要
23
開始ページ
73
終了ページ
77
ISSN
03879925
発行日
1989-12-25
NCID
AN00108106
出版者
島根大学理学部
出版者別表記
The Faculty of Science, Shimane University
資料タイプ
紀要論文
部局
総合理工学部
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