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Materials Science and Engineering: B 263

発行日 (降順)
Restudy of low-temperature data of Hall-effect measurements on compensated n-InSb and n-InAs on the basis of an impurity-Hubbard-band model
著者 梶川 靖友/
掲載誌名 Materials Science and Engineering: B
巻 263
発行日 2020-10-01
資料タイプ 学術雑誌論文
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