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タイトルヨミ
スイソ イオン オ チュウニュウシタ ゲルマニウム ノ DLTS ソクテイ
タイトル別表記
DLTS Measurements on Hydrogen Implanted Germanium
ファイル
言語
英語
著者
伊藤 一義
伊藤 隆
Corbett, James W.
内容記述(抄録等)
Deep levels introduced by 50 KeV hydrogen ions or 1.5 MeV electrons in undoped germanium have been studied using deep level transient spectroscopy. Five hole traps have been observed after implantation. The energy levels associated with these traps, their cross sections and their annealing behaviours have been determined. The two trap levels at E_v + 0.38 eV and at E_v +0.42 eV annealed at the same temperature, and they are attributable to the defect levels associated with divacancy-hydrogen complex.
掲載誌名
島根大学理学部紀要
17
開始ページ
23
終了ページ
30
ISSN
03879925
発行日
1983-12-25
NCID
AN00108106
出版者
島根大学理学部
出版者別表記
The Faculty of Science, Shimane University
資料タイプ
紀要論文
部局
総合理工学部
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