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タイトルヨミ
Ti_<1-x>Hf_xSe_2ケイ ノ ハンドウテキ セイカク ト ソウテンイ
日本語以外のタイトル
Semiconductinglike Character of Transport Properties and Phase Transition in Ti<1-x>Hf_xSe_2
ファイル
言語
日本語
著者
田口 功
内容記述(抄録等)
The electrlcal resistivity ρ and Hall coefficient R_H have been investigated on pressed powder samples of Ti_<1-x>Hf_xSe_2 and sublimation grown crystals of TiSe_2 from 22 K to 300 K. With decreasing temperature the resistivity exhibits a peak below tbe onset temperature of the superlattice in the case of small x. Then at lower temperatures a semiconductinglike resistivity is observed, suggesting that the initial band gap is positive in the mixed system Ti_<1-x>Hf_xSe_2. While the resistivity ρ at 22 K is also found to be larger than ρ at 300 K for both pressed samples and sublimation grown crystals of TiSe_2, this increase appears to be due to internal strain possibly present in the samples. The results indicate that the mechanism for driving the phase transition is mainly relevant to an excitonic electronhole instability.
主題
相転移
層状化合物
phase transition
layer compounds
掲載誌名
島根医科大学紀要
1
開始ページ
57
終了ページ
66
ISSN
03879097
発行日
1978-12-01
NCID
AN00107602
出版者
島根医科大学
資料タイプ
紀要論文
ファイル形式
PDF
著者版/出版社版
出版社版
部局
医学部
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