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Quantum Confinement Effect in Amorphous In–Ga–Zn–O Heterojunction Channels for Thin-Film Transistors

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ID 54143
言語
英語
著者
Koretomo Daichi Engineering Course, Kochi University of Technology, Kami, Kochi 782-8502, Japan
Hamada , Shuhei Material Science and Engineering Course, Kochi University of Technology, Kami, Kochi 782-8502, Japan
曲 勇作
Furuta , Mamoru Engineering Course, Kochi University of Technology, Kami, Kochi 782-8502, Japan / Material Science and Engineering Course, Kochi University of Technology, Kami, Kochi 782-8502, Japan / Center for Nanotechnology, Research Institute, Kochi University of Technology, Kami, Kochi 782-8502, Japan
掲載誌名
Materials
巻
13
号
8
ISSN（Online）
1996-1944
発行日
2020-04-20
DOI
10.3390/ma13081935
出版者
MDPI
資料タイプ
学術雑誌論文
部局
総合理工学部