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Restudy of low-temperature data of Hall-effect measurements on compensated n-InSb and n-InAs on the basis of an impurity-Hubbard-band model

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ID 54140
言語
英語
著者
梶川 靖友
掲載誌名
Materials Science and Engineering: B
巻
263
発行日
2020-10-01
DOI
10.1016/j.mseb.2020.114809
出版者
Elsevier B.V.
資料タイプ
学術雑誌論文
業績ID
e39069
部局
総合理工学部