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ID 53953
言語
英語
著者
Tsuchiya Toshiaki Interdisciplinary Faculty of Science and Engineering, Shimane University, 1060 Nishikawatsu, Matsue 690-8504, Japan
Yoshida Keiichi Interdisciplinary Faculty of Science and Engineering, Shimane University, 1060 Nishikawatsu, Matsue 690-8504, Japan
Sakuraba Masao Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan
Murota Junichi Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, Japan
主題
heterointerface trap; carrier capture process; charge pumping; MOSFET
掲載誌名
TECHNOLOGY EVOLUTION FOR SILICON NANO-ELECTRONICS
470
開始ページ
201
終了ページ
+
ISSN
1013-9826
発行日
2011
DOI
出版者
TRANS TECH PUBLICATIONS LTD
資料タイプ
学術雑誌論文
部局
総合理工学部