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Defect Passivation and Carrier Reduction Mechanisms in Hydrogen-Doped In-Ga-Zn-O (IGZO:H) Films upon Low-Temperature Annealing for Flexible Device Applications

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ID 54840
言語
英語
属性
Article
著者
Rostislav Velichko Engineering Course, Kochi University of Technology, Kami, Kochi 782-8502, Japan
曲 勇作
Furuta , Mamoru Engineering Course, Kochi University of Technology, Kami, Kochi 782-8502, Japan　/　 School of Environmental Science and Engineering, Kochi University of Technology, Kami, Kochi 782-8502, Japan　/　 Center for Nanotechnology, Research Institute, Kochi University of Technology, Kami, Kochi 782-8502, Japan
掲載誌名
Materials
巻
15
号
1
ISSN（Online）
1996-1944
発行日
2022-1-3
DOI
10.3390/ma15010334
出版者
MDPI
資料タイプ
学術雑誌論文
権利関係（リンク）
Creative Commons License
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部局
総合理工学部