| ID | 37050 |
| ファイル | |
| 言語 |
日本語
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| タイトルヨミ | ジセダイ パワー ハンドウタイ デバイス GaN HEMT ノ オウヨウ ニ ムケタ キソ ケンキュウ
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| 日本語以外のタイトル | A Fundamental Study on the Next Generation Power Semiconductor Device "GaN HEMT" for Applications
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| 著者 |
梅上 大勝
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| 発行日 | 2016-03-25
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| 資料タイプ |
学位論文
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| 著者版/出版社版 |
博士論文全文
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| 部局 |
（旧組織）大学院総合理工学研究科
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| 学位授与番号 | 甲第574号
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| 学位授与年月日 | 2016-03-25
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| 学位名 | 博士（工学）
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| 学位授与機関 | 島根大学
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| 学位論文研究科コード |
総合理工学研究科
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| 学位授与年度 | 2015
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| 備考 | 総博甲第109号
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