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Furuta , Mamoru
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Defect Passivation and Carrier Reduction Mechanisms in Hydrogen-Doped In-Ga-Zn-O (IGZO:H) Films upon Low-Temperature Annealing for Flexible Device Applications
属性
Article
著者
Rostislav Velichko
/
曲 勇作
/
Furuta , Mamoru
/
掲載誌名
Materials
巻
15
号
1
発行日
2022-1-3
資料タイプ
学術雑誌論文
Quantum Confinement Effect in Amorphous In–Ga–Zn–O Heterojunction Channels for Thin-Film Transistors
著者
Koretomo Daichi
/
Hamada , Shuhei
/
曲 勇作
/
Furuta , Mamoru
/
掲載誌名
Materials
巻
13
号
8
発行日
2020-04-20
資料タイプ
学術雑誌論文