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language
jpn
Title Transcription
ジセダイ パワー ハンドウタイ デバイス GaN HEMT ノ オウヨウ ニ ムケタ キソ ケンキュウ
Title Alternative (English)
A Fundamental Study on the Next Generation Power Semiconductor Device "GaN HEMT" for Applications
Author
梅上 大勝
Published Date
2016-03-25
NII Type
Thesis or Dissertation
Text Version
博士論文全文
OAI-PMH Set
Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering
Diploma Number
甲第574号
Granted Date
2016-03-25
Degree Name
博士(工学)
Grantor
島根大学
Graduate Course
Interdisciplinary Faculty of Science and Engineering
Granted Year
2015
Remark
総博甲第109号