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Nondegenerate Polycrystalline Hydrogen-Doped Indium Oxide (InOx:H) Thin Films Formed by Low-Temperature Solid-Phase Crystallization for Thin Film Transistors

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ID 54841
言語
英語
属性
Article
著者
Kataoka Taiki Materials Science and Engineering Course, Kochi University of Technology, Kami 782-8502, Kochi, Japan
曲 勇作
Makino, Hisao Center for Nanotechnology, Research Institute, Kochi University of Technology, Kami 782-8502, Kochi, Japan　/　 Electronic and Photonic Systems Engineering Course, Kochi University of Technology, Kami 782-8502, Kochi, Japan
掲載誌名
Materials
巻
15
号
1
ISSN（Online）
1996-1944
発行日
2021-12-7
DOI
10.3390/ma15010187
PubMed ID
35009333
出版者
MDPI
資料タイプ
学術雑誌論文
権利関係（リンク）
Creative Commons License
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部局
総合理工学部