High-mobility hydrogenated polycrystalline In2O3 (In2O3:H) thin-film transistors

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言語	英語
属性	Article
著者	曲勇作 Kataoka, Taiki School of Environmental Science and Engineering, Kochi University of Technology, Kami, Kochi, 782-8502, Japan 葉文昌 Furuta, Mamoru School of Environmental Science and Engineering, Kochi University of Technology, Kami, Kochi, 782-8502, Japan　/　Center for Nanotechnology, Research Institute, Kochi University of Technology, Kami, Kochi, 782-8502, Japan
掲載誌名	Nature Communications
巻	13
ISSN（Online）	2041-1723
発行日	2022-02-28
DOI	10.1038/s41467-022-28480-9
出版者	Springer Nature Limited
資料タイプ	学術雑誌論文
権利関係（リンク）	This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
部局	総合理工学部