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ID 51368
言語
日本語
タイトルヨミ
ビショウカク ニュウシャ エックス セン トポグラフィ ニヨル ハンドウタイ ハクマク ノ ケッショウ ヒョウカ
日本語以外のタイトル
Characterization of Semiconductor Thin Films by Grazing Incident X-ray Topography
著者
岡本 博之 金沢大学医薬保健研究域
内容記述(抄録等)
X-ray topographic studies on characterization of semiconductor thin layer were reviewed. Reflection topographs of thin layer were taken by synchrotron radiation X-ray from a storage ring. In these papers, relaxation mechanisms of mismatch in lattice constant between thin layer and substrate were clarified and critical thickness for formation of misfit dislocations was determined for various hetero-epitaxial grown semiconductor thin film. Investigations using grazing incident X-ray topography on semiconductor thin film were also surveyed.
掲載誌名
日本結晶学会誌
54
1
開始ページ
24
終了ページ
28
ISSN
0369-4585
ISSN(Online)
1884-5576
発行日
2012/2/29
DOI
出版者
日本結晶学会
出版者ヨミ
ニホン ケッショウ ガッカイ
出版者別表記
The Crystallographic Society of Japan
資料タイプ
学術雑誌論文
ファイル形式
PDF
著者版/出版社版
出版社版
部局
総合理工学部