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言語
日本語
タイトルヨミ
ジセダイ パワー ハンドウタイ デバイス GaN HEMT ノ オウヨウ ニ ムケタ キソ ケンキュウ
日本語以外のタイトル
A Fundamental Study on the Next Generation Power Semiconductor Device "GaN HEMT" for Applications
著者
梅上 大勝
発行日
2016-03-25
資料タイプ
学位論文
著者版/出版社版
博士論文全文
部局
(旧組織)大学院総合理工学研究科
学位授与番号
甲第574号
学位授与年月日
2016-03-25
学位名
博士(工学)
学位授与機関
島根大学
学位論文研究科コード
総合理工学研究科
学位授与年度
2015
備考
総博甲第109号
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