次世代パワー半導体デバイス GaN HEMT の応用に向けた基礎研究

( 最大 2000 件 )
URI http://ir.lib.shimane-u.ac.jp/metadata/37050
ファイル
公開状態
学外公開
本文言語
日本語
タイトル
次世代パワー半導体デバイス GaN HEMT の応用に向けた基礎研究
タイトルヨミ
ジセダイ パワー ハンドウタイ デバイス GaN HEMT ノ オウヨウ ニ ムケタ キソ ケンキュウ
タイトル別表記
A Fundamental Study on the Next Generation Power Semiconductor Device "GaN HEMT" for Applications
作成者
著者 梅上 大勝
チョシャ ウメガミ ヒロカツ
Author
発行日
2016-03-25
資料タイプ
学位論文
ファイル形式
PDF
著者版/出版社版
博士論文全文
区分
島根大学
備考
総博甲第109号
掲載誌コード
島根大学大学院総合理工学研究科学位論文
学位授与番号
甲第574号
学位授与年月日
2016-03-25
学位名
博士(工学)
学位授与機関
島根大学
学位論文研究科コード
総合理工学研究科
学位授与年度
2015